| Rating | Automotive |
| Architecture | Gate driver |
| Control interface | 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM |
| Gate drive (A) | 1 |
| Vs (Min) (V) | 5.5 |
| Vs ABS (Max) (V) | 65 |
| Features | Independent FET Control, Current Sense Amplifier, Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
- 温度等级 1：-40°C ≤ TA ≤ 125°C
- 3 个独立半桥栅极驱动器
- 专用源极 (SHx) 与漏极 (DLx) 引脚支持独立 MOSFET 控制
- 可驱动 3 个高侧和 3 个低侧 N 通道 MOSFET (NMOS)
- 智能栅极驱动架构
- 可调转换率控制
- 1.5mA 至 1A 峰值源电流
- 3mA 至 2A 峰值灌电流
- 支持 100% 占空比的栅极驱动器电荷泵
- 3 个集成式电流检测放大器 (CSA)
- 可调增益（5、10、20、40 V/V）
- 双向或单向支持
- 提供 SPI (S) 和硬件 (H) 接口
- 6x、3x、1x 和独立的 PWM 模式
- 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
- 电荷泵输出可驱动反向电源保护 MOSFET
- 3.3V、30mA 线性稳压器
- 集成式保护 特性
- VM 欠压锁定 (UVLO)
- 电荷泵欠压 (CPUV)
- 电池短路 (SHT_BAT)
- 接地短路 (SHT_GND)
- MOSFET 过流保护 (OCP)
- 栅极驱动器故障 (GDF)
- 热警告和热关断 (OTW/OTSD)
- 故障状态指示器 (nFAULT)
DRV8343-Q1 器件是一款适用于三相应用的 集成式栅极驱动器。此器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。专用源极与漏极引脚支持对电磁阀应用进行独立 MOSFET 控制。DRV8343-Q1 使用集成式电荷泵为高侧 MOSFET 生成足够的栅极驱动电压，并使用线性稳压器为低侧 MOSFET 生成足够的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持高达 1A 的峰值栅极驱动拉电流和 2A 的峰值栅极驱动灌电流。DRV8343-Q1 可由单一电源供电，支持适用于栅极驱动器的 5.5 至 60V 宽输入电源电压范围。
6x、3x、1x 和独立输入 PWM 模式可简化与控制器电路的连接。栅极驱动器和器件的配置设置具有高度可配置性，可通过 SPI 或硬件 (H/W) 接口实现。 DRV8343-Q1 器件集成了三个低侧电流检测放大器，可在驱动级的全部三相位上进行双向电流检测。
提供了低功耗睡眠模式，实现较低的静态电流消耗。针对欠压锁定、电荷泵故障、MOSFET 过流、MOSFET 短路、相位节点电源和接地短路、栅极驱动器故障和过热情况提供内部保护功能。故障状况及故障详情可通过 SPI 器件型号的器件寄存器显示在 nFAULT 引脚上。