| Rating | Catalog |
| Architecture | Gate driver |
| Control interface | 6xPWM, 3xPWM, 1xPWM |
| Gate drive (A) | 1 |
| Vs (Min) (V) | 6 |
| Vs ABS (Max) (V) | 65 |
| Features | Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 三个半桥栅极驱动器
- 可驱动 3 个高侧和 3 个低侧 N 沟道 MOSFET (NMOS)
- 智能栅极驱动架构
- 可调转换率控制
- 10mA 至 1A 峰值拉电流
- 20mA 至 2A 峰值灌电流
- 集成栅极驱动器电源
- 支持 100% PWM 占空比
- 高侧电荷泵
- 低侧线性稳压器
- 6V 至 60V 工作电压范围
- 可选集成式降压稳压器
- LMR16006X SIMPLE SWITCHER?
- 4V 至 60V 工作电压范围
- 0.8V 至 60V、600mA 输出能力
- 三个可选集成式电流检测放大器 (CSA)
- 可调增益（5、10、20、40 V/V）
- 双向或单向支持
- 提供有 SPI 和硬件接口
- 6x、3x、1x 和独立的 PWM 模式
- 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
- 低功耗睡眠模式 (12μA)
- 3.3V、30mA 线性稳压器
- 紧凑型 QFN 封装和尺寸
- 采用电源块的高效系统设计
- 集成式保护 特性
- VM 欠压闭锁 (UVLO)
- 电荷泵欠压 (CPUV)
- MOSFET 过流保护 (OCP)
- 栅极驱动器故障 (GDF)
- 热警告和热关断 (OTW/OTSD)
- 故障状态指示器 (nFAULT)
DRV832x 系列器件是适用于三相 应用的集成式栅极驱动器。这些器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV832x 使用集成电荷泵为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压，并使用线性稳压器为低侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持高达 1A 的峰值栅极驱动拉电流和 2A 的峰值栅极驱动灌电流。DRV832x 可由单个电源供电，并支持适用于栅极驱动器的 6V 至 60V，以及适用于可选降压稳压器的 4V 至 60V 宽输入电源范围。
6x、3x、1x 和独立输入 PWM 模式可简化与控制器电路的连接。栅极驱动器和器件的配置设置具有高度可配置性，可通过 SPI 或硬件 (H/W) 接口实现。DRV8323 和 DRV8323R 器件集成了三个低侧电流检测放大器，可在驱动级的全部三个相位上进行双向电流检测。DRV8320R 和 DRV8323R 器件集成了一个 600mA 降压稳压器。
提供了低功耗睡眠模式，以通过关断大部分的内部电路实现较低的静态电流消耗。针对欠压锁定、电荷泵故障、MOSFET 过流、MOSFET 短路、栅极驱动器故障和过热等情况，提供内部保护功能。故障状况及故障详情可通过 SPI 器件型号的器件寄存器显示在 nFAULT 引脚上。