| Rating | Automotive |
| Architecture | Gate driver |
| Control interface | 6xPWM, 3xPWM, 1xPWM |
| Gate drive (A) | 1 |
| Vs (Min) (V) | 4.4 |
| Vs ABS (Max) (V) | 45 |
| Features | LDO, Current Sense Amplifier, SPI/I2C, Watchdog Timer, Smart Gate Drive |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125, -40 to 150 |
- 具有符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
- 环境工作温度范围：
- 温度等级 0 (E)：–40°C 至 +150°C
- 温度等级 1 (Q)：–40°C 至 +125°C
- 4.4V 至 45V 工作电压范围
- 1.25A 和 1A 峰值栅极驱动电流
- 智能栅极驱动架构（IDRIVE 和 TDRIVE）
- 可编程高侧和低侧压摆率控制
- 支持 100% 占空比的电荷泵栅极驱动器
- 三个集成式分流放大器
- 50mA 集成型 LDO（3.3V 和 5V 选项）
- 高达 200kHz 的 3 PWM 或 6 PWM 输入控制
- 能够进行单 PWM 模式换向
- 用于器件设置和故障报告的串行外设接口 (SPI)
- 耐热增强型 48 引脚 HTQFP 封装
- 保护 功能：
- 故障诊断和 MCU 看门狗
- 可编程的死区时间控制
- MOSFET 击穿保护
- MOSFET VDS 过流监视器
- 栅极驱动器故障检测
- 支持电池反向保护
- 支持跛行回家模式
- 过热警告和关断
DRV8305-Q1 器件是一款适用于三相电机驱动应用的 栅极驱动器 IC。该器件提供了三个高精度半桥驱动器，每个驱动器能够驱动一个高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。电荷泵驱动器支持占空比为 100% 的低压操作，适用于冷启动条件。该器件最高可耐受 45V 负载突降电压。
DRV8305-Q1 器件具备三个双向分流放大器，支持可变增益设置和可调节偏移基准，可精确测量低侧电流。
DRV8305-Q1 器件具有一个集成稳压器，可满足微控制器 (MCU) 或其他系统的电源要求。稳压器可与 LIN 物理接口直接相连，支持低功耗系统待机和休眠模式。
栅极驱动器在切换时使用自动握手，以防止发生电流击穿。可精确感测高侧和低侧 MOSFET 的 VDS，从而防止外部 MOSFET 出现过流情况。SPI 提供详细的故障报告、诊断和器件配置，例如分流放大器的增益选项、独立的 MOSFET 过流检测和栅极驱动转换率控制。
器件选项：
- DRV8305NQ：1 级，带有电压基准
- DRV83053Q：1 级，带有 3.3V、50mA LDO
- DRV83055Q：1 级，带有 5V、50mA LDO
- DRV8305NE：0 级，带有电压基准