| Bus voltage (Max) (V) | 120 |
| Power switch | MOSFET |
| Input VCC (Min) (V) | 8 |
| Input VCC (Max) (V) | 16 |
| Peak output current (A) | 3.5 |
| Rise time (ns) | 12 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Undervoltage lockout (Typ) | 8 |
| Rating | Catalog |
| Number of channels (#) | 2 |
| Fall time (ns) | 10 |
| Prop delay (ns) | 16 |
| Iq (uA) | 2 |
| Input threshold | TTL |
| Channel input logic | TTL |
| Negative voltage handling at HS pin (V) | -10 |
| Features | Enable |
| Driver configuration | Dual inputs |
- 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
-
在 DRC 封装中启用/禁用功能
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禁用时消耗的电流很低 (7μA)
- 16ns 典型传播延迟
- 1800pF 负载时的上升时间为 12ns，下降时间典型值为 10ns
- 1ns 典型延迟匹配
- 集成式 100V 自举二极管
- 8V 典型欠压锁定
- 输入引脚上接受的绝对最大负电压 (–5V)
- HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (-14 V)
- ±3A 峰值输出电流
- 绝对最大启动电压为 120V
- 输入相互独立且 VDD
- 两个通道的欠压锁定
- 额定结温范围为 –40°C 至 140°C
UCC27289 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。UCC27289 具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此 UCC27289 与模拟控制器和数字控制器均可结合使用。两个输入完全相互独立，如果需要，可通过重叠输入进行重叠。启用和禁用功能通过降低驱动器的功耗并响应系统内的故障事件，提供额外的系统灵活性。
输入引脚和 HS 引脚能够承受较大的负电压，因此提高了系统稳健性。较小的传播延迟和延迟匹配规格可尽可能降低死区时间要求，从而提高系统效率。
高侧和低侧驱动器级均配有欠压锁定 (UVLO) 功能，因此可在 VDD 电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。在许多应用中，集成自举二极管无需使用外部分立式二极管，节省布板空间和降低系统成本。UCC27289 采用多种封装，可满足多种系统要求，比如严苛环境下的稳健性、紧凑型应用中的密度。