| Bus voltage (Max) (V) | 120 |
| Power switch | MOSFET |
| Input VCC (Min) (V) | 5.5 |
| Input VCC (Max) (V) | 16 |
| Peak output current (A) | 3.5 |
| Rise time (ns) | 12 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Undervoltage lockout (Typ) | 5 |
| Rating | Automotive |
| Number of channels (#) | 2 |
| Fall time (ns) | 10 |
| Prop delay (ns) | 16 |
| Iq (uA) | 2 |
| Input threshold | TTL |
| Channel input logic | TTL |
| Negative voltage handling at HS pin (V) | -14 |
| Features | Enable |
| Driver configuration | Dual inputs |
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
- 温度等级 1（Tj = –40°C 至 150°C）
- 器件 HBM ESD 分类等级 1B
- 器件 CDM ESD 分类等级 C3
- 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
- 5V 典型欠压锁定
- 16ns 典型传播延迟
- 1.8nF 负载时的上升时间为 12ns，下降时间为 10ns
- 1ns 典型延迟匹配
- 输入上的 5V 负电压处理能力
- HS 上的 14V 负电压处理能力
- ±3A 峰值输出电流
- 绝对最大启动电压为 120V
- 集成式自举二极管
UCC27284 -Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27284 -Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此 UCC27284 -Q1 与模拟控制器和数字控制器均可结合使用。在次级侧全桥同步整流等应用中，如需要，可实现两路输入及其各自输出的重叠。
输入引脚和 HS 引脚能够承受较大的负电压，因此提高了系统稳健性。5V UVLO 允许系统在较低的偏置电压下工作，这在许多高频应用中是必需的，并可在某些工作模式下提高系统效率。较小的传播延迟和延迟匹配规格可尽可能降低死区时间要求，从而进一步提高效率。
高侧和低侧驱动器级均配有欠压锁定 (UVLO) 功能，因此可在 VDD 电压低于指定阈值时强制将输出置为低电平。在许多应用中，集成自举二极管无需使用外部分立式二极管，节省布板空间和降低系统成本。 UCC27284-Q1 采用 SOIC 封装，适用于恶劣的系统环境。