| Bus voltage (Max) (V) | 300 |
| Power switch | MOSFET, GaNFET |
| Input VCC (Min) (V) | 6 |
| Input VCC (Max) (V) | 18 |
| Peak output current (A) | 3 |
| Rise time (ns) | 0.5 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Undervoltage lockout (Typ) | 4 |
| Rating | Catalog |
| Number of channels (#) | 2 |
| Fall time (ns) | 0.5 |
| Prop delay (ns) | 10 |
| Iq (uA) | 300 |
| Input threshold | TTL |
| Channel input logic | TTL/PWM |
| Features | Resistor-controllable deadtime, Internal LDO, Bootstrap supply voltage clamp |
| Driver configuration | Half Bridge |
LMG1210 是一款 200V 半桥 MOSFET 和氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器，专为要求超高频率、高效率的 应用 而开发， 具有 可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及 3.4ns 高侧/低侧匹配，以优化系统效率。此部件还 具备 一个内部 LDO，可确保 5V 的栅极驱动器电压（而与电源电压无关）。
为了在各种应用中获得 最佳性能，LMG1210 允许设计人员选择最佳的自举二极管对高侧自举电容器充电。当低侧不导通时，内部开关会关闭自举二极管，以有效防止高侧自举过度充电，并将反向恢复电荷降至最低。GaN FET 上额外的寄生电容被最小化至小于 1pF，以减少额外的开关损耗。
该 LMG1210 具有 两种控制输入模式：独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入独立控制。在 PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可将每个沿的死区时间从 0ns 调节为 20ns。LMG1210 可在 –40°C 至 125°C 的宽温度范围内运行，并采用低电感 WQFN 封装。