| Bus voltage (Max) (V) | 90 |
| Power switch | MOSFET |
| Input VCC (Min) (V) | 8 |
| Input VCC (Max) (V) | 14 |
| Peak output current (A) | 1 |
| Rise time (ns) | 15 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Undervoltage lockout (Typ) | 8 |
| Rating | Automotive |
| Number of channels (#) | 2 |
| Fall time (ns) | 15 |
| Prop delay (ns) | 30 |
| Iq (uA) | 10 |
| Input threshold | TTL |
| Channel input logic | TTL |
| Negative voltage handling at HS pin (V) | -1 |
| Driver configuration | Dual inputs |
- 符合汽车类 应用标准
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果
- 器件温度 1 级
- 器件人体放电模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 1C
- 器件组件充电模型 (CDM) ESD 分类等级 C4A
- 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
- 1A 峰值输出电流（1.0A 灌电流/1.0A 拉电流）
- 独立的晶体管-晶体管逻辑电路/互补金属氧化物半导体 (TTL/CMOS) 兼容输入
- 自举电源电压高达 108V（直流）
- 短暂传播时间（典型值为 30ns）
- 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
- 优异的传播延迟匹配（典型值为 2ns)
- 电源轨欠压锁定
- 低功耗
- 耐热增强型晶圆级小外形无引线 (WSON)-8 封装
应用
- 推挽转换器
- 半桥和全桥电源转换器
- 固态电机驱动器
- 双开关正向电源转换器
All trademarks are the property of their respective owners.
LM5109B-Q1 是一款具有成本效益的高电压栅极驱动器，设计用于驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。悬空高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过兼容 TTL/CMOS 的逻辑输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用耐热增强型 WSON(8) 封装。