| Bus voltage (Max) (V) | 100 |
| Power switch | MOSFET |
| Input VCC (Min) (V) | 9 |
| Input VCC (Max) (V) | 14 |
| Peak output current (A) | 3 |
| Rise time (ns) | 8 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Undervoltage lockout (Typ) | 8 |
| Rating | Catalog |
| Number of channels (#) | 2 |
| Fall time (ns) | 8 |
| Prop delay (ns) | 22 |
| Iq (uA) | 10 |
| Input threshold | TTL |
| Channel input logic | TTL |
| Negative voltage handling at HS pin (V) | -1 |
| Driver configuration | Dual, Non-Inverting |
- 独立的高侧和低侧驱动器逻辑输入
- 自举电源电压高达 100V DC
- 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
- 短暂传播时间（典型值为 25ns）
- 可以 8ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
- 优异的传播延迟匹配（典型值为 3ns)
- 支持电源轨欠压锁定
- 低功耗
- 与 HIP2100 和 HIP2101 引脚兼容
应用
- 由电机控制的驱动器
- 半桥和全桥电源转换器
- 同步降压转换器
- 双开关正向电源转换器
- 有源钳位正激转换器
- 48V 服务器电源
- 太阳能 DC-DC 和 DC-AC 转换器
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LM25101 高电压栅极驱动器专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。版本 A 提供高达 3A 的栅极驱动，而版本 B 和 C 分别提供 2A 和 1A 的栅极驱动。输出由 TTL 输入阈值独立控制。该器件集成了一个高压二极管，用于对高侧栅极驱动自举电容进行充电。稳健可靠的电平转换器同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。
这些器件采用标准 8 引脚 SOIC、8 引脚 SO-PowerPAD、8 引脚 WSON、10 引脚 WSON 以及 8 引脚 MOSP PowerPAD 封装。