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--- 产品详情 ---

具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 3A、120V 半桥栅极驱动器
Bus voltage (Max) (V) 110
Power switch MOSFET
Input VCC (Min) (V) 8
Input VCC (Max) (V) 17
Peak output current (A) 3
Rise time (ns) 8
Operating temperature range (C) -40 to 140
Undervoltage lockout (Typ) 8
Rating Catalog
Number of channels (#) 2
Fall time (ns) 7
Prop delay (ns) 20
Iq (uA) 1
Input threshold TTL
Channel input logic TTL
Negative voltage handling at HS pin (V) -15
Features Negative Voltage Handling
Driver configuration Non-Inverting
  • 可驱动两个采用高侧和低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • HS 引脚具备 -18V 的负电压处理能力
  • 最大启动电压:120V
  • 最大 VDD 电压:20V
  • 片载0.65V VF, 0.6Ω RD 自举二极管
  • 工作频率高于 1MHz
  • 20ns 传播延迟时间
  • 3A 吸收,3A 供电输出电流
  • 8ns 上升 / 7ns 下降时间 (采用 1000pF 负载时)
  • 1ns 延迟匹配
  • 用于高侧和低侧驱动器的欠压锁定功能
  • 提供 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) (D)、 PowerPADSOIC-8 (DDA)、SON-8 (DRM)、SON-9 (DRC) 和 SON-10 (DPR) 五种封装
  • –40°C 至 140°C 的额定温度范围

应用

  • 针对电信、数据通信和商业的电源
  • 半桥 应用 和全桥转换器
  • 隔离式总线架构
  • 两开关正激式转换器
  • 有源箝位正激式转换器
  • 高电压同步降压转换器
  • D 类音频放大器

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UCC2720xA 系列高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。UCC2720xA 基于常见的 UCC27200/1 驱动器,但提供了一些增强功能。UCC2720xA 具有增强型 ESD 输入结构并且其 HS 引脚最高能够承受 -18V 电压,这使得其在嘈杂电源环境下的性能得到了改善。

由于在芯片上集成了一个自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。为高端和低端驱动器提供了欠压闭锁功能,如果驱动电压低于规定的门限,则强制输出为低电平。

UCC27200A 提供了两种版本。UCC27200A 具有高抗扰度 CMOS 输入阈值,而 UCC27201A 则具有兼容晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 的阈值。

两款器件均提供 8 引脚 SOIC (D)、PowerPad SOIC-8 (DDA)、SON-8 (DRM)、9 引脚 SON-9 (DRC) 和 10 引脚 SON-10 (DPR) 五种封装。