| Number of series cells (Min) | 3 |
| Vin (Max) (V) | 75 |
| Features | High-side driver |
| Number of series cells (Max) | 16 |
| Rating | Catalog |
- CHG 和 DSG 高侧 N 沟道金属氧化物半导体 (NMOS) 场效应晶体管 (FET) 驱动器，可控制电池保护快速 FET 导通和关断次数
- 预充电 P 沟道场效应晶体管 (PFET) 驱动器（用于为显著耗尽的电池组进行限流预充电）
- 独立的数字使能充/放电控制
- 所需外部组件最少
- 基于可扩展外部电容的电荷泵，适用于不同范围内的并行 FET
- 耐受高压（绝对最高电压为 100V）
- 使能电池组电压感测的内部开关
- 支持通用和独立的充/放电路径配置
- 设计为直接与 bq76940、bq76930 和 bq76920 电池监控器搭配使用
- 电流消耗：
- 正常模式：40μA
- 关断模式：< 10μA（最大值）
应用
- 电动自行车 (eBike)、电动踏板车 (eScooter) 和电动摩托车 (eMotorcycles)
- 储能系统和不间断电源 (UPS)
- 便携式医疗系统
- 无线基站电池系统
- 铅酸 (PbA) 备用电池
- 12V 至 48V 电池组
bq76200 器件是一款低功耗、高侧 N 沟道系统。 高侧保护可防止系统的接地引脚断开连接，同时允许电池组与主机系统之间进行持续通信。 该器件的附加 P 沟道 FET 控制功能支持对深度耗尽型电池进行低电流预充电，其 PACK+ 电压监控控制功能支持主机感测 PACK+ 电压。
独立的使能输入允许单独导通和关断 CHG 与 DSG FET，从而提供灵活的电池系统实施方案。
bq76200 器件可与配套的模拟前端器件搭配使用，例如 bq76920/30/40 系列、3 节至 15 节电池模拟前端监控以及主机微控制器或专用的充电状态 (SOC) 跟踪电量监测计器件。