| DDR memory type | DDR4 |
| Control mode | D-CAP3 |
| Iout VDDQ (Max) (A) | 8 |
| Iout VTT (Max) (A) | 1 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.15 |
| Output | VDDQ, VREF, VTT |
| Vin (Min) (V) | 4.5 |
| Vin (Max) (V) | 18 |
| Features | Complete Solution |
| Rating | Catalog |
- 同步降压转换器 (VDDQ)
- 输入电压范围：4.5V 至 18V
- 输出电压固定为 1.2V
- D-CAP3?模式控制，用于快速瞬态响应
- 持续输出电流：8A
- 高级 Eco-mode?脉冲跳跃
- 集成 22mΩ 和 8.6mΩ RDS(on) 内部电源开关
- 600kHz 开关频率
- 内部软启动：1.6ms
- 逐周期过流保护
- 锁存输出 OV 和 UV 保护
- 同步降压转换器 (VPP)
- 输入电压范围：3V 至 5.5V
- 输出电压固定为 2.5V
- D-CAP3?模式控制，用于快速瞬态响应
- 持续输出电流：1A
- 高级 Eco-mode?脉冲跳跃
- 集成 150mΩ 和 120mΩ RDS(on) 内部电源开关
- 580kHz 开关频率
- 内部软启动：1ms
- 逐周期过流保护
- 锁存输出 OV 和 UV 保护
- 1A LDO (VTT)
- 1A 持续灌电流和拉电流
- 仅需 10μF 的陶瓷输出电容
- 在 S3 状态下支持高阻态输出
- ±30mV VTT 输出精度（直流 + 交流）
- 缓冲基准 (VTTREF)
- 经缓冲的低噪声 ±10mA 功能
- 0.8% 输出精度
- 低静态电流：150μA
- 电源正常指示器
- 输出放电功能
- 加电和断电排序控制
- 非锁存 OT 和 UVLO 保护
- 18 引脚 3.0mm × 3.0mm HotRod?VQFN 封装
TPS65295 器件能够以最低的总成本和最小的空间为 DDR4 存储器系统提供完整的电源解决方案。它符合 JEDEC 标准中的 DDR4 加电和断电顺序要求。TPS65295 将两个同步降压转换器（VPP 和 VDDQ）与 1A 灌电流和拉电流跟踪 LDO (VTT) 以及缓冲低噪声基准 (VTTREF) 集成在一起。TPS65295 采用耦合了 600kHz 开关频率的 D-CAP3?模式，此模式可在无需外部补偿电路的情况下实现易于使用的快速瞬变并支持陶瓷输出电容器。
VTTREF 跟踪 ? VDDQ 的精度优于 0.8%。VTT 可同时提供 1A 持续灌电流和拉电流功能，而仅需 10μF 的陶瓷输出电容。
TPS65295 可提供丰富的功能和卓越的电源性能。它支持灵活功耗状态控制，将 VTT 置于高阻抗状态（处于 S3）并在 S4/S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电。另外还提供 OVP、UVP、OCP、UVLO 和热关断保护。此器件采用热增强型 18 引脚 HotRod?VQFN 封装，额定结温范围为 –40°C 至 125°C。