| DDR memory type | DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3 |
| Control mode | D-CAP, S3, S4/S5 |
| Iout VTT (Max) (A) | 3 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.5 |
| Output | VREF, VTT |
| Vin (Min) (V) | 1.1 |
| Vin (Max) (V) | 3.5 |
| Features | S3/S5 Support |
| Rating | Automotive |
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 AEC-Q100 标准：
- 器件温度等级 1：
–40°C ≤ TA ≤ 125°C - 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 器件温度等级 1：
- 扩展的可靠性测试
- 输入电压：支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
- VLDOIN 电压范围：1.1V 至 3.5V
- 具有压降补偿功能的灌电流和拉电流终端稳压器
- 所需最小输出电容为 20μF（通常为 3 × 10μF MLCC），用于存储器终端 应用 (DDR)
- 用于监视输出稳压的 PGOOD
- EN 输入
- REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器灵活进行输入跟踪
- 远程检测 (VOSNS)
- ±10mA 缓冲基准 (REFOUT)
- 内置软启动、UVLO 和 OCL
- 热关断
- 符合 DDR、DDR2 JEDEC 规范；支持 DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 应用
- 带外露散热焊盘的 VSON-10 封装
TPS51200A-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。
此器件可保持快速的瞬态响应，最低仅需 20μF 输出电容。此器件支持遥感功能，并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。
此外，该器件还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用进行 VTT 放电。
此器件采用高效散热型 VSON-10 封装，具有绿色环保和无铅的特性。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。