| DDR memory type | DDR2, DDR3, DDR4 |
| Control mode | S3, S4/S5 |
| Iout VTT (Max) (A) | 3 |
| Iq (Typ) (mA) | 18 |
| Output | VREF, VTT |
| Vin (Min) (V) | 0.9 |
| Vin (Max) (V) | 3.5 |
| Features | Complete Solution, Shutdown Pin for S3 |
| Rating | Space |
- QML V 类符合 5962-14228(1)(2)
- 总电离剂量为 100krad (Si)
- 高剂量率 (HDR) (50-100 rad(Si)/s)
- 低剂量率 (LDR) (0.01 rad(Si)/s)
- 单粒子锁定 (SEL)、单粒子栅穿 (SEGR)、单粒子烧毁 (SEB) 对于线性能量传输 (LET) 的抗扰度 = 65MeV-cm2/mg
- 单粒子瞬变 (SET)、单粒子功能中断 (SEFI)、单粒子翻转 (SEU) 的抗扰度为 65MeV-cm2/mg（详细信息请参见）
- 总电离剂量为 100krad (Si)
- 支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3LP 和 DDR4 终端 应用 并兼容 JEDEC 标准
- 输入电压：支持 2.5V 和 3.3V 电源轨(3)
- 独立低电压输入 (VLDOIN) 降至
0.9V 以改善电源效率(3) - 具有压降补偿功能的 3A 灌电流/拉电流终端稳压器
- 用于电源排序的使能输入和电源正常输出
- VTT 终端稳压器
- 输出电压范围：0.5V 至 1.75V
- 3A 灌电流和拉电流
- 精度为 ±20mV
- 具有感测输入的精密集成分压器网络
- 远程感测 (VOSNS)
- VTTREF 缓冲参考输出
- 精度为 VDDQ/2 ± 1%
- ±10mA 灌/拉电流
- 集成了内置软启动 (SS)、欠压锁定 (UVLO) 以及过流限制 (OCL) 功能
应用
- 采用 DDR、DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 和 DDR4 存储器的 单电路板计算机、固态记录器和载荷 应用
- 超快速瞬态电源 应用
- 支持军用温度范围（-55°C 至 125°C）
- 提供工程评估 (/EM) 组件(4)
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TPS7H3301-SP 是一款内置 VREF 的 TID 和单粒子效应 (SEE) 抗辐射加固型双倍数据速率 (DDR) 3A 终端稳压器。该稳压器专门用于为空间 DDR 终端应用 （如单电路板计算机、固态记录器和载荷处理应用） 提供一套完整的紧凑型、低噪声解决方案。
TPS7H3301-SP 支持并兼容 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 以及相关的低功耗 JEDEC 规范。凭借快速瞬态响应，TPS7H3301-SP VTT 稳压器可在读取/写入状态下提供稳定性较高的电源。TPS7H3301-SP 还包含一个内置的 VREF 电源。该电源可跟踪 VTT 以进一步缩减解决方案尺寸。在瞬态变化过程中，VREF 电源的快速跟踪功能能够最大限度地降低 VTT 和 VREF 之间的电压偏移。请参见。
为了简单的启用电源排序，使能输入和电源正常输出 (PGOOD) 已在 TPS7H3301-SP 中集成。PGOOD 输出是开漏输出，因此可在所有电源进入稳压状态时将其与多个开漏输出相连来进行监控。使能信号还可用于在挂起至 RAM (S3) 断电模式时使 VTT 放电。
TPS7H3301-SP 采用 TI 常用的 16 引脚耐热增强型双陶瓷扁平封装 (HKR)，TPS7H1101-SP 同样采用这种封装。