| DDR memory type | DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, LPDDR2, LPDDR3 |
| Control mode | D-CAP, S4/S5 |
| Iout VDDQ (Max) (A) | 20 |
| Iout VTT (Max) (A) | 2 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.6 |
| Output | VDDQ, VREF, VTT |
| Vin (Min) (V) | 3 |
| Vin (Max) (V) | 28 |
| Features | Shutdown Pin for S3 |
| Rating | HiRel Enhanced Product |
- 同步降压控制器 (VDDQ)
- 转换电压范围：3 至 28 V
- 输出电压范围：0.7 至 1.8 V
- 0.8% VREF 精度
- D-CAP? 模式，可实现快速瞬态响应
- 可选 300kHz/400kHz 开关频率
- 自动跳过功能优化了轻负载和重负载时的效率
- 支持 S4/S5 状态下的软关闭
- OCL/OVP/UVP/UVLO 保护
- 电源正常输出
- 2A LDO (VTT)、缓冲基准 (VTTREF)
- 2A（峰值）灌电流和拉电流
- 只需 10μF 陶瓷输出电容
- 经缓冲的低噪声 10mA VTTREF 输出
- 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
- 在 S3 下支持高阻抗，在 S4/S5 下支持软关闭
- 热关断
- 20 引脚 3mm × 3mm WQFN 封装
- 支持国防、航天和医疗应用
- 受控基线
- 一个组装/测试基地
- 一个制造基地
- 支持军用（-55°C 至 125°C）温度范围，(1)
- 延长了产品生命周期
- 延长了产品变更通知
- 产品可追溯性
(1)提供额外的温度范围 - 请联系工厂
TPS51216-EP 以最少总成本和最小空间为 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器系统提供完整的电源。它将同步降压稳压器控制器 (VDDQ) 与 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和缓冲低噪声基准 (VTTREF) 相集成。TPS51216-EP 采用 D-CAP? 模式与 300kHz/400kHz 频率相结合，以实现易用性和快速瞬态响应。VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度优于 0.8%。能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。此外，还提供专用的 LDO 电源输入。
TPS51216-EP 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。它支持灵活功率级控制，将 VTT 置于高阻抗状态（处于 S3）并在 S4/S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电（软关闭）。