| DDR memory type | DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3 |
| Control mode | D-CAP2, S3, S4/S5 |
| Iout VDDQ (Max) (A) | 20 |
| Iout VTT (Max) (A) | 2 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.6 |
| Output | VDDQ, VREF, VTT |
| Vin (Min) (V) | 3 |
| Vin (Max) (V) | 28 |
| Features | Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support |
| Rating | Catalog |
- 同步降压控制器 (VDDQ)
- 转换电压范围：3V 至 28V
- 输出电压范围：0.7V 至 1.8V
- 0.8% VREF精度
- D-CAP2?针对陶瓷输出电容器的模式
- 可选 500kHz/670kHz 开关频率
- 自动跳频功能优化了轻负载和重负载时的效率
- 支持 S4/S5 状态中的软启动
- 过流 (OCL) / 过压 (OVP) / 欠压 (UVP) / 欠压闭锁 (UVLO) 保护
- 电源正常输出
- 2A LDO (VTT)、缓冲基准 (VTTREF)
- 2A（峰值）灌电流和拉电流
- 只需 10μF 陶瓷输出电容器
- 经缓冲的，低噪声，10mA VTTREF 输出
- 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
- 在 S3 中支持高阻抗 (High-Z) 而在 S4/S5 中支持软关闭
- 热关断
- 20 引脚 3mm × 3mm WQFN 封装
TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个用于 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 内存系统的完整电源。它将同步降压稳压器控制器 (VDDQ) 与 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和缓冲低噪声基准 (VTTREF) 相集成。TPS51716 采用融合了 500kHz 或 670kHz 工作频率的 D-CAP2 模式，此模式可在无需外部补偿电路的情况下支持陶瓷输出电容器。VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT ，而且只需 10μF 的陶瓷电容。此外，该器件还 具有 专用 LDO 电源输入。
TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。它支持灵活功率级控制，将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ，VTT 和 VTTREF 放电（软关闭）。它包括具有低侧 MOSFET RDS（接通）感测的可编程 OCL，OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。
TI 的 TPS51716 采用 20 引脚 3mm × 3mm WQFN 封装，且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。