| DDR memory type | DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3 |
| Control mode | D-CAP+, S3, S4/S5 |
| Iout VTT (Max) (A) | 6 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.32 |
| Output | VTT |
| Vin (Min) (V) | 1 |
| Vin (Max) (V) | 6 |
| Features | Complete Solution |
| Rating | Catalog |
- 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术
- 支持 DDR 内存终止，具有高达 6A 的持续输出源电流或者吸收电流
- 外部跟踪
- 最少的外部组件数
- 1V 至 6V 转换电压
- D-CAP+ 模式架构
- 支持所有多层片式陶瓷输出电容器和 SP/POSCAP
- 可选跳跃 (SKIP) 模式或者强制 CCM
- 轻量级负载与重负载下的优化效率
- 可选 600kHz 或者1MHz 开关频率
- 可选过流限制 (OCL)
- 过压、过热和断续欠压保护
- 可调输出电压范围为 0.6V 至 2V
- 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装
应用
- 用于 DDR、DDR2、DDR3 和 DDR4 的存储器终端稳压器
- VTT 终止
- 用于 1V 至 6V 输入电源轨的低电压应用
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TPS53317 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ? VDDQ的经稳压输出，此输出具有吸收电流和源电流功能。 TPS53317 器件采用 D-CAP+ 运行模式，简单易用，所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外，该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。
该器件具有两种开关频率设定值（600kHz 和 1MHz），可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能，支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V，而输出电压在 0.6V 至 2.0V 范围内可调。
TPS53317 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装（绿色环保，符合 RoHS 标准并且无铅），其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术，其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。