| DDR memory type | DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3 |
| Iout VTT (Max) (A) | 2 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.17 |
| Output | VREF, VTT |
| Vin (Min) (V) | 1 |
| Vin (Max) (V) | 3.5 |
| Features | S3/S5 Support |
| Rating | Catalog |
- 电源输入电压：支持 3.3V 和 5V 电源轨
- VLDOIN 输入电压范围：VTT+0.4V 至 3.5V
- VTT 端接稳压器
- 输出电压范围：0.5V 至 0.9V
- 2A 峰值灌电流和拉电流
- 仅需 10μF 的多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容
- ±20mV 精度
- VTTREF 缓冲参考输出
- VDDQ/2 ± 1% 精度
- 10mA 灌/拉电流
- 支持高阻态（S3 状态）和软停止（S4 和 S5 状态），通过 S3 和 S5 输入选择
- 过热保护
- 10 引脚 2mm × 2mm 小外形尺寸无引线 (SON) (DSQ) 封装
TPS51206 器件是具有 VTTREF 缓冲基准输出的灌电流/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部组件数的空间受限型系统而设计。该器件可保持快速的瞬态响应，并且仅需 1 个 10μF 的陶瓷输出电容。该器件支持遥感功能，并且可满足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。VTT 具有 ±2A 峰值电流能力。该器件支持所有 DDR 电源状态，在 S3 状态下将 VTT 置于高阻态（挂起到 RAM）；在 S4/S5 状态下使 VTT 和 VTTREF 放电（挂起到磁盘）。
TPS51206 器件采用 10 引脚 2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD?封装，额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C。