| DDR memory type | DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3 |
| Control mode | D-CAP, D-CAP2, S3, S4/S5 |
| Iout VDDQ (Max) (A) | 20 |
| Iout VTT (Max) (A) | 2 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.6 |
| Output | VDDQ, VREF, VTT |
| Vin (Min) (V) | 3 |
| Vin (Max) (V) | 28 |
| Features | Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support |
| Rating | Catalog |
- 同步降压控制器 (VDDQ)
- 转换电压范围：3V 至 28V
- 输出电压范围：0.7V 至 1.8V
- 0.8% VREF精度
- 可选控制架构
- D-CAP?模式，可实现快速瞬态响应
- D-CAP2?针对陶瓷输出电容器的模式
- 可选 300kHz、400kHz、500kHz 或 670kHz 开关频率
- 自动跳过功能优化了轻负载和重负载时的效率
- 支持 S4 和 S5 状态下的软关闭
- 过流 (OCL) / 过压 (OVP) / 欠压 (UVP) / 欠压闭锁 (UVLO) 保护
- 电源正常输出
- 2A LDO (VTT)，缓冲基准 (VTTREF)
- 2A（峰值）灌电流和拉电流
- 经缓冲的，低噪声，10mA VTTREF 输出
- 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
- 支持高阻抗 (S3) 和软关闭（S4、S5）
- 热关断
- 20 引脚，3mm x 3mm，四方扁平无引线 (QFN) 封装
- 创建 WEBENCH 设计
TPS51916 器件能够以最少总成本和最小空间为 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 存储器系统提供完整的电源。它将同步降压稳压器控制器 (VDDQ) 与 2A 灌电流和 2A 拉电流跟踪 LDO (VTT) 以及缓冲低噪声基准 (VTTREF) 集成在一起。
该器件采用耦合了 300kHz 或 400kHz 频率的 D-CAP? 模式，以实现易于使用且快速的瞬态响应，或采用耦合了更高的 500kHz 或 670kHz 频率的 D-CAP2? 模式，以在无需外部补偿电路的情况下支持陶瓷输出电容器。VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度优于 0.8%。能够提供 2A 灌电流和 2A 拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容。提供专用的 LDO 电源输入。
该器件还可以提供卓越的电源性能。它支持灵活功率级控制，将 VTT 置于高阻抗状态（处于 S3）并在 S4 或 S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电（软关闭）。它还提供具有低侧 MOSFET RDS(on) 检测功能的可编程 OCL、OVP、UVP、UVLO 以及热关断保护。
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