| Output options | Fixed Output |
| Iout (Max) (A) | 1 |
| Vin (Max) (V) | 5.5 |
| Vin (Min) (V) | 2.2 |
| Vout (Max) (V) | 3.3 |
| Vout (Min) (V) | 1.9 |
| Fixed output options (V) | 1.9, 3.3 |
| Noise (uVrms) | 51 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.4 |
| Thermal resistance θJA (°C/W) | 52 |
| Rating | Automotive |
| Load capacitance (Min) (μF) | 1 |
| Regulated outputs (#) | 1 |
| Features | Enable, Foldback overcurrent protection, Reverse current protection |
| Accuracy (%) | 3 |
| PSRR @ 100 KHz (dB) | 32 |
| Dropout voltage (Vdo) (Typ) (mV) | 130 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 符合汽车类 应用要求
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
- 器件温度等级 1：–40°C 至 125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4A
- 与 1μF 或更大的陶瓷输出电容器一起工作时保持稳定
- 输入电压范围：2.2V 至 5.5V
- 超低压降：1A 为 130mV（典型值）
- 即使使用仅为 1μF 的输出电容器，也能实现出色的负载瞬态响应
- NMOS 拓扑可提供低反向漏电流
- 初始精度为 1%
- 整个线路、负载和温度范围内的精度达 3%
- 关断模式下静态电流小于 20nA（典型值）
- 通过热关断和电流限制实现故障保护
- 提供了多个输出电压版本
TPS737xx-Q1 线性低压降 (LDO) 稳压器系列在电压跟随器配置中使用了 NMOS 旁路元件。该拓扑结构对输出电容值和等效串联电阻 (ESR) 的敏感度相对较低，从而实现多种负载配置。即使使用 1μF 的小型陶瓷输出电容器，也能实现出色的负载瞬态响应。NMOS 拓扑结构也可实现极低压降。
TPS737xx-Q1 系列利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度，同时提供极低的压降和低接地引脚电流。未启用时的电流消耗低于 20nA，适用于便携式 应用。这些器件受到热关断和折返电流限制的保护。