| Output options | Adjustable Output, Fixed Output |
| Iout (Max) (A) | 0.5 |
| Vin (Max) (V) | 6.5 |
| Vin (Min) (V) | 2.7 |
| Vout (Max) (V) | 6 |
| Vout (Min) (V) | 1.2 |
| Fixed output options (V) | 1.2, 1.5, 2.5, 2.7, 2.85, 3.3, 3.4 |
| Noise (uVrms) | 16.5 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.045 |
| Thermal resistance θJA (°C/W) | 52 |
| Rating | Catalog |
| Load capacitance (Min) (μF) | 2.2 |
| Regulated outputs (#) | 1 |
| Features | Enable |
| Accuracy (%) | 2 |
| PSRR @ 100 KHz (dB) | 28 |
| Dropout voltage (Vdo) (Typ) (mV) | 280 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 输入电压：2.7V 至 6.5V
- 带 EN 引脚的 500mA 低压降稳压器
- 低 IQ： 45μA
- 提供了多个输出电压版本：
- 1.2V 至 4.3V 固定输出
- 1.25V 至 6V 可调输出
- 高 PSRR：1kHz 频率下为 68dB
- 低噪声：13.2μVRMS
- 快速启动时间：45μs
- 使用陶瓷 2.2μF 低 ESR 输出电容器实现稳定运行
- 出色的负载和线路瞬态响应
- 2% 的总体精度（负载、线路和温度，VOUT > 2.2V）
- 极低的压降：500mA 电流下为 280mV
- 2mm × 2mm WSON-6 和
3mm × 3mm SON-8 封装
TPS735 低压降 (LDO)、低功耗线性稳压器可提供出色的交流性能以及极低的接地电流。可提供高电源抑制比 (PSRR)、低噪声、快速启动以及出色的线路和负载瞬态响应，同时消耗极低的 45μA（典型值）接地电流。
TPS735 器件与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定，并且该器件使用先进的 BiCMOS 制造工艺，能够在输出 500mA 电流时产生 280mV 的典型压降电压。TPS735 器件使用精密电压基准和反馈环路，可在全部负载、线路、过程和温度变化范围内实现 2% 的总体精度 (VOUT > 2.2V)。此器件的额定 TJ = –40°C 至 +125°C，采用薄型 3mm × 3mm SON-8 封装和 2mm × 2mm WSON-6 封装。