| Output options | Adjustable Output, Fixed Output |
| Iout (Max) (A) | 1 |
| Vin (Max) (V) | 5.5 |
| Vin (Min) (V) | 2.2 |
| Vout (Max) (V) | 5.4 |
| Vout (Min) (V) | 1.2 |
| Fixed output options (V) | 1.8, 2.5, 3, 3.3, 3.4 |
| Noise (uVrms) | 48 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.4 |
| Thermal resistance θJA (°C/W) | 50 |
| Rating | Catalog |
| Load capacitance (Min) (μF) | 1 |
| Regulated outputs (#) | 1 |
| Features | Enable, Foldback overcurrent protection, Reverse current protection |
| Accuracy (%) | 3 |
| PSRR @ 100 KHz (dB) | 33 |
| Dropout voltage (Vdo) (Typ) (mV) | 130 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 与 1μF 或更大的陶瓷输出电容器搭配使用时可保持稳定
- 输入电压范围：2.2V 至 5.5V
- 超低压降：1A 时典型值为 130mV
- 即使使用仅为 1μF 的输出电容器，也能实现出色的负载瞬态响应
- NMOS 拓扑结构可提供低反向泄漏电流
- 初始精度为 1%
- 在线路、负载和温度范围内总精度为 3%
- 关断模式下，IQ 典型值小于 20nA
- 热关断和电流限制可实现故障保护
- 提供多个输出电压版本
- 可调节输出：1.20V 至 5.5V
- 使用工厂封装级编程，可提供定制输出
TPS737xx 系列线性低压降 (LDO) 稳压器在电压跟随器配置中使用了 NMOS 旁路元件。该拓扑结构对输出电容值和等效串联电阻 (ESR) 的敏感度相对较低，从而实现多种负载配置。负载瞬态响应出色，即使与 1μF 小型陶瓷输出电容搭配工作时也是如此。NMOS 拓扑结构也可实现超低压降。
TPS737xx 系列利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度，同时提供超低的压降和低接地引脚电流。未启用时的电流消耗小于 20nA，适用于便携式 应用。这些器件受到热关断和折返电流限制的保护。
对于要求更高输出电压精度的 应用 ，请考虑 TI 的 TPS7A37xx 系列 1% 总精度、1A 低压降稳压器。