| Regulated outputs (#) | 13 |
| Vin (Min) (V) | 5.6 |
| Vin (Max) (V) | 21 |
| Iout (Max) (A) | 25 |
| Rating | Catalog |
| LDO | 4 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.3 |
| Features | Comm Control, Dynamic Voltage Scaling, Enable, Enable Pin, I2C Control, Over Current Protection, Power Good, Power Sequencing, Synchronous Rectification, Thermal Shutdown, UVLO Fixed |
| Processor name | Generic |
| Processor supplier | Generic |
| Shutdown current (ISD) (Typ) (uA) | 65 |
| Switching frequency (Typ) (kHz) | 2500 |
| Configurability | Software configurable, User programmable |
- 两组用于为默认电压和序列进行编程的一次性可编程内存
- 5.6V 至 21V 的宽输入电压范围
- 三个采用 D-CAP2? 拓扑的可变输出电压同步降压控制器
- 使用外部 FET 的可扩展输出电流，支持可选电流限制
- 在 0.41V 至 1.67V 之间以
10mV 为步长、在 1V 至 3.575V 之间以 25mV 为步长或固定 5V 输出的 I2C DVS 控制
- 三个采用 DCS-Control 拓扑的可变输出电压同步降压转换器
- 输入电压范围为 3V 至 5.5 V
- 输出电流高达 3A
- 在 0.425V 至 3.575V在 25mV 为步长的 I2C 控制
- 三个具有可调节输出电压的 LDO 稳压器
- LDOA1：I2C 可选输出电压为 1.35V 至 3.3V，输出电流最高 200mA
- LDOA2 和 LDOA3：I2C 可选输出为 0.7V 至 1.5V，各输出电流均为最高 600mA
- 用于 DDR 存储器终端的 VTT LDO
- 三个具有压摆率控制功能的负载开关
- 输出电流高达 300mA，压降小于标称输入电压的 1.5%
- 输入电压为 1.8V 时，RDSON < 96mΩ
- 5V 固定输出电压 LDO (LDO5)
- 用于 SMPS 的栅极驱动器和 LDOA1 的电源
- 可自动切换至外部 5V 降压以实现更高效率
- 内置可通过 OTP 编程功能实现的灵活性和可配置性
- 六个 GPI 引脚均可配置为启用（CTL1 至 CTL6）任意所选电压轨或使其进入睡眠模式（CTL3 和 CTL6）
- 四个 GPO 引脚均可配置为指示任意所选轨道的电源正常
- 漏极开路中断输出引脚
- I2C 接口支持标准模式 (100kHz)、快速模式 (400kHz) 和超快速模式 (1MHz)
TPS650861 器件系列是一款单芯片电源管理 IC (PMIC)，按照设计，其经编程可实现最佳的输出电压和电源定序。TPS650861 具有三个控制器，可提供最高 30A 电流的灵活供电能力，采用可满足大功率设计需求的大型外部 FET，但该 FET 的使用可降低尺寸和成本，获得更小巧的设计。通过将三个 3A 转换器、三个通用 LDO、一个适用于 DDR 的终端 LDO 以及三个负载开关相结合，TPS650861 可为多种 应用提供系统电源。该 D-CAP2?和DCS-Control 高频稳压器采用小型无源器件，以减小解决方案尺寸。D-CAP2 和 DCS-Control 拓扑具有出色的瞬态响应性能，非常适用于具有快速负载开关的处理器内核和系统内存电压轨。该器件具有两组一次性可编程 (OTP) 内存。如需大量采购，请联系当地的 TI 销售代表，以确定是否能够使用 TI 制造的产品进行 OTP 定制。第三方经销商也支持为 TPS650861 编程。