| FET | Internal |
| Ron (Typ) (mOhm) | 34 |
| Vin (Min) (V) | 1.5 |
| Vin (Max) (V) | 7 |
| Vabsmax_cont (V) | 7.5 |
| Current limit (Min) (A) | 0.5 |
| Current limit (Max) (A) | 7.5 |
| Overcurrent response | Circuit breaker, Current limiting |
| Fault response | Auto-retry |
- 辐射性能：
- 抗辐射加固保障 (RHA) 高达 100krad (Si) TID
- 单粒子锁定 (SEL)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于 LET 的抗扰度 = 75MeV-cm2/mg
- SEFI/SET 对于
LET 的额定值 = 75MeV-cm2/mg
- 集成型单通道负载开关
- 输入电压范围：1.5V 至 7V
- 低导通电阻 (RON)，在温度为 25°C 和输入电压为 5V 时具有 35mΩ 的最大值
- 6A 最大持续开关电流
- 低控制输入阈值支持使用
1.2V、1.8V、2.5V 和 3.3V 逻辑器件 - 可配置上升时间（软启动）
- 反向电流保护
- 可编程和内部电流限制
（快速跳变） - 可编程故障计时器（电流限制和
重试模式） - 热关断
- 带散热垫的陶瓷封装
TPS7H2201-SP 是一款单通道负载开关，可提供用于最大限度地降低浪涌电流的可配置上升时间和反向电流保护。此器件包括一个 P 沟道 MOSFET，可在 1.5V 至 7V 的输入电压范围内运行并可支持 6A 的最大持续电流。此开关由一个开关输入 (EN) 控制，该输入能够直接连接至低电压控制信号。
TPS7H2201-SP 采用具有集成式散热垫的陶瓷封装，从而支持高功率耗散。该器件在自然通风环境下的额定运行温度范围为 –55°C 至 125°C。