Configuration | 2:1 SPDT |
Number of channels (#) | 1 |
Power supply voltage - single (V) | 1.2, 1.8, 2.5, 3.3, 5 |
Protocols | Analog |
Ron (Typ) (Ohms) | 2.5 |
CON (Typ) (pF) | 21 |
ON-state leakage current (Max) (μA) | 0.004 |
Bandwidth (MHz) | 250 |
Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
Features | 1.8-V compatible control inputs, Break-before-make, Fail-safe logic |
Input/output continuous current (Max) (mA) | 30 |
Rating | Catalog |
Supply current (Typ) (uA) | 0.006 |
- 宽电源电压范围:1.08V 至 5.5V
- 低泄漏电流:3pA
- 低导通电阻:1.8Ω
- 低电荷注入:–6pC
- 工作温度范围:-40°C 至 +125°C
- 兼容 1.8V 逻辑电平
- 失效防护逻辑
- 轨至轨运行
- 双向信号路径
- 先断后合开关
- ESD 保护 HBM:2000V
TMUX1119是一种互补金属氧化物半导体 (CMOS) 单极双投 (2:1) 开关。1.08V 至 5.5V 的宽电源电压工作范围 可支持 医疗设备到工业系统的大量应用。该器件可在源极 (Sx) 和漏极 (D) 引脚上支持从 GND 到 VDD 范围的双向模拟和数字信号。所有逻辑输入均具有兼容 1.8V 逻辑电平的阈值,当器件在有效电源电压范围内运行时,这些阈值可确保 TTL 和 CMOS 逻辑兼容性。失效防护逻辑 电路允许在电源引脚之前的控制引脚上施加电压,从而保护器件免受潜在的损害。
TMUX1119 是精密开关和多路复用器器件系列的一部分。这些器件具有非常低的导通和关断泄漏电流以及较低的电荷注入,因此可用于高精度测量 应用的高速串行链路的稳定性。3nA 的低电源电流和小型封装选项使其可用于便携式 应用的热管理优化而设计。中实现高功率密度、高效率和稳健性。