FP35R12W2T4
技术参数：
• Ic(A),Tc=80℃ 35
• Vce(sat),Max(V) 2.25
• Ton(us) 0.025
• Toff(us) 0.31
• Rth(j-c),K/W 0.7
• Pc(W) 215
• 封装 EasyPIM2B
• 电路结构 PIM
典型应用：
• 辅助逆变器
• 空调
• 电机传动
电气特性：
• 低开关损耗
• 沟槽栅IGBT4
• VCEsat 带正温度系数
• 低VCEsat
机械特性：
• 低热阻的三氧化二铝衬底
• 紧凑型设计
• 焊接技术
• 集成的安装夹使安装坚固
FP35R12W2T4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加层被称为电场终止（fieldstop），这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 IGBT3 具有更高电流密度，它还可扩展系列产品的功率范围。硅片结温可高达175℃，运行温度可达150℃。低损耗，FP35R12W2T4 IGBT模块具有低EMI噪声，高可靠性，高运行结温等优点。主要应用在100KW光伏逆变器，电机驱动，电源等领域。
2MBI75U4A-120
2MBI75U4A-120
2MBI100U4A-120
2MBI100VA-120-50
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