FS200R12KT4R
技术参数：
• Ic(A),Tc=80℃ 200
• 封装 EconoPack
• 电路结构 六单元
性能概要：
• Continious操作功率限于150A（有效值）
• 低V（CESAT）
• T（VJ OP）=150℃
• 铜基板
• 标准
优点：
• 紧凑型模块
• 优化客户的开发周期和成本
• 配置灵活性
目标应用：
• 电机控制和驱动
FS200R12KT4R是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加层被称为电场终止（fieldstop），这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 IGBT3 具有更高电流密度，它还可扩展系列产品的功率范围。硅片结温可高达175℃，运行温度可达150℃。低损耗，FS200R12KT4R IGBT模块具有低EMI噪声，高可靠性，高运行结温等优点。主要应用在100KW光伏逆变器，电机驱动，电源等领域。
2MBI75U4A-120
2MBI75U4A-120
2MBI100U4A-120
2MBI100VA-120-50
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