F4-50R06W1E3
F4-50R06W1E3是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加层被称为电场终止（fieldstop），这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 IGBT3 具有更高电流密度，它还可扩展系列产品的功率范围。硅片结温可高达175℃，运行温度可达150℃。低损耗，F4-50R06W1E3 IGBT模块具有低EMI噪声，高可靠性，高运行结温等优点。主要应用在100KW光伏逆变器，电机驱动，电源等领域。
技术参数：
• Ic(A),Tc=80℃ 50
• Vce(sat),Max(V) 1.9
• Ton(us) 0.023
• Toff(us) 0.22
• Rth(j-c),K/W 0.66
• Pc(W) 225
• 封装 EasyPACK 1B
• 电路结构 H桥（四单元）
性能概要：
• 低电感设计
• 低开关损耗
• 沟道型IGBT3
• 低V(CESAT)
• 紧凑的设计
• 坚固的安装
优点：
• 紧凑的模块概念
• 优化开发周期和成本
• 配置灵活性
目标应用：
• 电机控制和驱动
• 太阳能系统解决方案
对于完整的太阳能电力解决方案的主导产品
• 不间断电源（UPS）
• 家庭设备