产品简介
Qorvo 的QPD1009 是 SiC HEMT 上的 15 W (P3dB) 分立式 GaN，工作频率范围为 DC 至 4 GHz。该器件采用 Qorvo 经验证的 QGaN25HV 工艺构建，该工艺采用先进的场板技术，可在高漏极偏置工作条件下优化功率和效率。就更少的放大器阵容和更低的热管理成本而言，这种优化可能会降低系统成本。
该器件采用行业标准的 3 x 3 mm 表面贴装 QFN 封装。
产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 4,000
增益（分贝） 24
饱和度(dBm) 42.3
PAE （%） 72
电压（伏） 50
Idq （毫安） 26
包装类型 QFN
包装（毫米） 3×3
主要特征
频率范围：DC - 4 GHz
输出功率 (P3dB)：2 GHz 时为 17 W
线性增益：2 GHz 时典型值为 24 dB
典型 PAE3dB：2 GHz 时为 72%
工作电压：50V
低热阻封装
CW 和脉冲能力
3 x 3 毫米封装
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