产品简介
Qorvo 的 TGF2023-2-01 是一款分立式 1.25 mm GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 DC 至 18 GHz。
该器件通常提供 38 dBm 的饱和输出功率，在 3 GHz 时具有 18 dB 的功率增益。最大功率附加效率为 66%，这使得 TGF2023-2-01 适合高效率应用。该部件无铅且符合 RoHS 标准。
产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 18,000
增益（分贝） 18
饱和度(dBm) 38
PAE （%） 71.6
电压（伏） 12 至 32
Idq （毫安） 25 至 125
主要特征
频率范围：直流至 18 GHz
3 GHz 时标称 Psat 为 38 dBm
71.6% 最大 PAE
3 GHz 时标称功率增益为 18 dB
偏压：V D = 12 -32 V，I DQ = 125 mA
芯片尺寸：0.82 x 0.66 x 0.10 毫米
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