产品简介
Qorvo 的 TGF2819-FL 是一款峰值功率大于 200 W（平均 40 W）(P3dB) 的 SiC HEMT 分立式 GaN，工作频率范围为 DC 至 4.0 GHz。该器件采用 Qorvo 经过验证的 TQGaN25HV 工艺构建，该工艺采用先进的场板技术，可在高漏极偏置工作条件下优化功率和效率。就更少的放大器阵容和更低的热管理成本而言，这种优化可能会降低系统成本。
产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 4,000
增益（分贝） > 14
饱和度(dBm) 51
电压（伏） 50
Idq （毫安） 250
包装类型 NI-360
主要特征
频率范围：DC - 4 GHz
输出功率 (P 3dB ) 1 : 257 W
线性增益1 : 18 dB
典型 PAE 3dB 1 : > 67.5%
工作电压：50V
CW 和脉冲能力
注 1：@ 3 GHz 负载牵引
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