产品简介
Qorvo 的 UF3SC065030B7S 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于独特的级联电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOSFET 时需要最少的重新设计。该器件采用 D2PAK-7L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关电感负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
产品规格
VDS 最大值(V) 650
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 27
内径最大值(A) 62
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽车资质 不是
包装类型 D2PAK-7L
主要特征
导通电阻 (RDS(on))：27 mohm（典型值）
最高工作温度：175 °C
出色的反向恢复：Qrr = 425 nC
低体二极管 VFSD：1.3 V
低栅极电荷：QG = 43 nC
阈值电压 VG(th)：5 V（典型值）允许 0 至 15 V 驱动
相关型号
UF3C120080B7S
UF3C120080K3S
UF3C120080K4S
UF3C120150B7S
UF3C120150K4S
UF3C120400K3S
UF3C170400K3S
UF3SC065007K4S
UF3SC065030B7S
UF3SC065040B7S
UF3SC120009K4S
UF3SC120016K3S
UF3SC120016K4S
UF3SC120040B7S
UF4C120053K3S
UF4C120053K4S
UF4C120070K3S
UF4C120070K4S
UF4SC120023K4S
UF4SC120030K4S