TF2117(M)是高压、高速的门驱动器，能够在引导操作中驱动一个n通道MOSFETs和IGBTs。TF半导体公司的高压工艺使TF2117(M)和能够在600V下切换。TF2117(M)和逻辑输入与标准CMOS输出（至3.3V)兼容。驱动器输出的特点是高脉冲电流缓冲器设计为最小的驱动器交叉传导。单浮式通道可用于高侧或低侧配置。
TF2117-TAH采用的是SOIC-8的封装.主要应用领域为：电池管理系统/DC‐DC/开关电源等行业
TF2117-TAH可完美替代兼容 IRS2117STRPBF，IR2117STRPBF 。
