MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS电路，可将标准（易失性）CMOS RAM转换为非易失性存储器。它还会持续监控电源，以在RAM的电源处于边际（超出容限）条件时提供RAM写保护。当电源开始出现故障时，RAM受到写保护，并且器件切换到电池备用模式。
应用
- µP控制系统
- 计算机：台式机、工作站和服务器
- 嵌入式系统
- 备用电池
- 存储器写保护
- 工作模式静态电流：230µA
- 备用模式静态电流：2nA
- 电池保鲜密封
- 可选冗余电池
- VCC 电源开关具有低正向压降
- 5%或10%电源故障检测选项
- 在上电期间测试电池状况
- 采用8引脚SO封装
DS9092
DS9092GT
DS9092T
DS9092R
DS9092RG
DS9100A
DS9100B
DS9100C
DS1404
DS1411
DS1411-009
DS1411-S09
DS1402-BP8
DS1402-BR8
DS1402-RP8
DS1402D-DB8
DS1402D-DR8
MXD1210
MAX1259