该评估板演示了采用半桥拓扑配置的 TO-247-4 封装中的 650 V 60 mΩ 碳化硅 (SiC) C3M™ MOSFET 的开关和热性能。该板设计用于表征碳化硅 MOSFET 的E ON和 E OFF损耗以及稳态热性能。该板可配置为在同步或异步模式下作为降压或升压转换器运行。PCB 还支持用 TO-247-3 封装组件替换 SiC MOSFET，以便对任一封装进行评估。包含几乎与硬件性能相匹配的寄生元件的完整 LTSpice 模型可供下载。
该设计允许测量：
- 时序（T延迟开启；T延迟关闭；T上升；T下降）
- 过冲（V DS-Max；I D-Max）
- 速度（di/dt；dv/dt）
- 开关损耗（E ON；E OFF；E RR）
- 运行时效率高达 2.5kW
规格
- 最大直流输入/输出电压 450V
- 最大功率为 2.5kW @ 100kHz（受板载电感器限制；使用备用电感器可实现更高级别）
- 兼容TO-247-4和TO-247-3 SiC MOSFET；
- 与 TO-247 和 TO-220 SiC 肖特基二极管兼容
- 每个 C3M SiC MOSFET 都有专用栅极驱动器和隔离电源
- 优化了示波器探头测量漏极电流的位置；V GS ; 和 V DS和 I S
- 支持同步和异步降压和升压拓扑
- 套件包括两个 SMA 转 BNC 适配器，用于测量 V GS波形
- 包括散热器；热夹和隔离热垫
应用领域
- 工业电源
- 服务器/电信
- 电动汽车充电系统
- 储能系统（ESS）
- 不间断电源 (UPS)
包含什么
- 评估板
- 原理图
- PCB设计文件
- 材料清单
- 应用说明
- LTSpice 模型详解
- 快速入门视频
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