该评估板的目的是演示在 7 引脚 D2PAK™ 封装中并联两个高性能 Wolfspeed 该评估板配置为半桥，但也可以配置为其他常见拓扑，例如同步升压或同步降压拓扑。该板的设计目的是让用户能够轻松地：
- 评估并联 SiC MOSFET 的动态和稳态均流
- 评估 SiC MOSFET 开关性能并表征 SiC MOSFET 中的 E ON和 E OFF损耗。
- 评估同步降压或升压转换器中的 SiC MOSFET 热性能。
- 用作有效并联 SiC MOSFET 的 PCB 布局示例。
- 用作 D2PAK SiC MOSFET 热管理的参考
Wolfspeed 和 Keysight Technologies, Inc. 共同为此评估板开发了 PathWave 高级设计系统 (ADS) 工作区，使设计人员能够对设计进行仿真，包括 PCB 布局的寄生效应。该工作区演示了如何使用 ADS 平台优化 PCB 布局，以便比传统原型测试设计周期更快、成本更低地并联碳化硅 MOSFET。
规格
- 最大直流母线电压 900 V
- 额定功率 10 kW @ 60 kHz（同步升压操作 400 V-800 V）
- 用于漏极电流、V GS和 V ds示波器探头测量的优化位置
- 支持同步和异步降压和升压拓扑
- 可使用两个评估板配置为全桥 DC/DC
- 工业电源
- 服务器/电信
- 电动汽车充电系统
- 储能系统（ESS）
- 不间断电源 (UPS)
包含什么
- 完全组装的评估板
- 原理图
- PCB设计文件
- 材料清单
- 应用说明
KIT-CRD-CIL17N-BM
KIT-CRD-CIL12N-BM
KIT-CRD-CIL12N-FMB
KIT-CRD-CIL12N-FMA
KIT-CRD-CIL12N-FMC
KIT-CRD-CIL12N-GMA
KIT-CRD-CIL17N-HM3
KIT-CRD-CIL12N-HM3
KIT-CRD-3DD12P
KIT-CRD-3DD065P
KIT-CRD-HB12N-J1
KIT-CRD-8FF90P
KIT-CRD-8FF65P
KIT-CRD-CIL17N-XM
KIT-CRD-CIL12N-XM3