该评估板演示了采用半桥拓扑配置的 7 引脚 D2PAK (TO-263-7L) 中的 650V 碳化硅 (SiC) C3M™ MOSFET 的开关和热性能。该板设计用于表征碳化硅 MOSFET 的E ON和 E OFF损耗以及稳态热性能。PCB 在 MOSFET 下方包含 AlN 插件，以提供电气隔离并优化至散热器的热传递。
这个设计：
- 演示如何使用 AlN 镶嵌 PCB 进行表面贴装功率器件的热管理
- 作为驱动 D2PAK SiC MOSFET 的 PCB 布局示例
规格
- 最大直流母线电压 450V
- 最大功率 4.2kW @ 100kHz
- 优化了示波器探头测量漏极电流的位置；V GS ; 和Vds
- MOSFET 下方散热器中的预钻孔热电偶位置
- 支持同步和异步降压和升压拓扑
- 套件包括两个 SMA 和 BNC 适配器，用于测量 V GS波形
- 包括散热器；扇子; 风扇护罩；和导热垫
- 可使用两个评估板配置为全桥 DC/DC
应用领域
- 工业电源
- 服务器/电信
- 电动汽车充电系统
- 储能系统（ESS）
- 不间断电源 (UPS)
包含什么
- 完全组装的评估板
- 原理图
- PCB设计文件
- 材料清单
- 应用说明
KIT-CRD-CIL17N-BM
KIT-CRD-CIL12N-BM
KIT-CRD-CIL12N-FMB
KIT-CRD-CIL12N-FMA
KIT-CRD-CIL12N-FMC
KIT-CRD-CIL12N-GMA
KIT-CRD-CIL17N-HM3
KIT-CRD-CIL12N-HM3
KIT-CRD-3DD12P
KIT-CRD-3DD065P
KIT-CRD-HB12N-J1
KIT-CRD-8FF90P
KIT-CRD-8FF65P
KIT-CRD-CIL17N-XM
KIT-CRD-CIL12N-XM3