SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 300 W；48V；2620 – 2690 兆赫
GTVA262711FA 是一款 300 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于多标准蜂窝功率放大器应用。它具有输入匹配功能；高效率; 以及带无耳法兰的耐热增强型封装。
特征
- 输入匹配
- 典型的脉冲连续波性能；2690兆赫；48V；10% 占空比
- 输出功率 P3dB 300W
- 效率 62%
- 增益 19.1 分贝
- 能够处理 10:1 VSWR @ 48 V；70W（连续波）输出功率
- 无铅且符合 RoHS 标准
应用领域
- 多标准蜂窝功率放大器