50-W；7.9 – 9.6 GHz；50欧姆；输入/输出匹配的 GaN HEMT
Wolfspeed 的 CGHV96050F2 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与其他技术相比，这种 GaN 内部匹配 (IM) FET 具有出色的功率附加效率。与硅或砷化镓相比，GaN具有更优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与 GaAs 晶体管相比，GaN HEMT 还提供更高的功率密度和更宽的带宽。该 IM FET 采用金属/陶瓷法兰封装，可实现最佳电气和热性能。
特征
- 8.4 – 9.6 GHz 运行
- 80 W POUT（典型值）
- 10 dB 功率增益
- 55% 典型 PAE
- 50 欧姆内部匹配
- <0.1 dB 功率下降
应用领域
- 船用雷达
- 天气监测
- 空中管制
- 海上船舶交通管制
- 港口安全
CMPA901A020S-AMP1
CMPA9396025S-AMP1
CMPA801B030F1
CMPA9396025S
CMPA901A020S
CMPA901A035F1
CMPA801B030D1
CMPA901A035F-AMP
CMPA901A035F
CMPA801B030S
CMPA851A050F-AMP
CMPA851A050F
CGHV96050F2-AMP
CGHV96050F2
CGHV1J070D-GP4
CMPA851A050S-AMP1
CMPA851A050S
CMPA851A050D
CGHV96100F2-AMP
CGHV96100F2
CGHV96130F
CGHV1A250F-AMP
CGHV1A250F