型号简介
Sumitomo的SGC1112-100B-R是一种高功率GaN HEMT与X波段雷达波段匹配，以提供最佳功率和增益在50欧姆的系统中。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 SGC1112-100B-R
名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地 日本
封装 IK
型号参数
高输出功率：Psat=51.0dBm（典型值）
高增益：Gp=9.0dB（典型值）
高功率附加效率：PAE=37%（典型值）
宽带：11.4至12.0GHz
密封包装
相关型号
FSX017X
FSX017LGT
FSU02LG
FSX017LG
FSU01LG
FSU02LGT
FSX017LGT
FSU01LGT
SGC52589-50B-R
SGC5259-300B-R
SGC9395-50B-R
SGC9395-100B-R
SGC1112-100B-R
SGC9395-130B-R
SGC9395-200B-R
SGN2731-500L-R
SGN3035-150L-R
SGN3133-260L-R
SGC9395-300B-R
SGM6906VUT
SGK5872-20C