1.概述W29N02KV（2G位）NAND闪存为空间、引脚和电源有限的嵌入式系统提供了一种存储解决方案。它非常适合将代码隐藏到RAM、固态应用程序和存储媒体数据，如语音、视频、文本和照片。该设备在2.7V至3.6V的单一电源上工作，在3V和10uA的CMOS待机电流下，有源电流消耗低至25mA。存储器阵列总计285212672个字节，并被组织成139264个字节的2048个可擦除块。每个块由64个可编程页面组成，每个页面2176字节。每个页面由2048个字节组成，用于主数据存储，128个字节用于备用数据区域（备用区域通常用于错误管理功能）。W29N02KV支持使用多路复用8位总线传输数据、地址和命令指令的标准NAND闪存接口。CLE、ALE、#CE、#RE和#WE这五个控制信号处理总线接口协议。此外，该设备ha
2.特点 基本功能–密度：2Gbit（单片解决方案）–Vcc:2.7V至3.6V–总线宽度：x8–工作温度 工业：-40°C至85°C Industrial Plus：-40°C至105°C 单电平单元（SLC）技术。 组织–密度：2G位/256M字节–页面大小 2176字节–块大小 64页 最高性能–读取性能（最大） 随机阅读：25 us 顺序读取周期：25ns–写入擦除性能 页面程序时间：250us（典型值） 块擦除时间：2ms（典型）-耐久性：60000擦除/编程周期（1）-数据保留期：10年 命令集–标准NAND命令集–附加命令支持 复制回 双平面操作-接触Winbond以实现OTP功能-接触Winbond以实现块锁定功能 最低功耗-读取：25mA（典型）-编程/擦除：25mA 空间高效包装–48引脚标准TSOP1–48球VFBGA–63球VFBGA-Contact Winbond for stackedpackages/KGD
WINBOND/华邦 W29N02KVSIAF TSOP48 NAND FLASH存储器
型号:
W29N02KVSIAF