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晶闸管的工作原理 晶闸管的主要参数
用于三相功率转换的桥式拓扑的SiC MOSFET
门极驱动正压对功率半导体性能的影响
如何用新思科技的PDW解决功率半导体器件设计面临的挑战呢?
DPWM原理及其仿真分析
开关电源中“黑箱”的考虑
加速汽车电气化:释放封装创新的力量
芯干线电动两轮车之充电机系列方案
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FLOEFD T3STER自动校准模块—提高电子产品散热设计的准确性
门极可关断晶闸管(GTO) 和可控硅 (SCR) 的区别浅析
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IGBT是什么驱动型器件
什么是集成栅极换流晶闸管?