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器件名：
B772S
产品描述：
生产厂商：
SK
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价格
器件名：
US3DCG
产品描述：
生产厂商：
SK
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替代料
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器件名：
SK1117-2.5
产品描述：
输出类型:-;
生产厂商：
SK
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替代料
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器件名：
SK1117-1.5
产品描述：
输出类型:-;
生产厂商：
SK
规格书
替代料
价格
器件名：
SK35P10
产品描述：
类型:P沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):104W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,10A;
生产厂商：
SK
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替代料
价格
器件名：
SK120N03B
产品描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.7mΩ@10V,20A;
生产厂商：
SK
规格书
替代料
价格
器件名：
2SB766A
产品描述：
晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,10V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商：
SK
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替代料
价格
器件名：
KTA1663Y
产品描述：
晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):800mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商：
SK
规格书
替代料
价格
器件名：
2SB1115
产品描述：
晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1A,2V;特征频率(fT):80MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商：
SK
规格书
替代料
价格
器件名：
2SB804
产品描述：
晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):290mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):25@500mA,2V;特征频率(fT):80MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商：
SK
规格书
替代料
价格
器件名：
2SD1614
产品描述：
晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):135@100mA,1V;
生产厂商：
SK
规格书
替代料
价格
器件名：
2SD2150R
产品描述：
晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.2W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,0.2A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@1A,2V;特征频率(fT):90MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商：
SK
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替代料
价格
器件名：
2SC2883Y
产品描述：
晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商：
SK
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器件名：
2SD1898Q
产品描述：
晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商：
SK
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器件名：
2SB805
产品描述：
晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):700mA;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):45@5mA,1V;特征频率(fT):75MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商：
SK
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替代料
价格
器件名：
2SB806
产品描述：
晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):700mA;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):45@5mA,1V;特征频率(fT):75MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商：
SK
规格书
替代料
价格
器件名：
2SC2884Y
产品描述：
晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商：
SK
规格书
替代料
价格
器件名：
2SC5053R
产品描述：
晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商：
SK
规格书
替代料
价格
器件名：
SK2307A
产品描述：
类型:P沟道;漏源电压(Vdss):16V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;
生产厂商：
SK
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器件名：
DSR1MW
产品描述：
二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.1V@1A;反向电流(Ir):5uA@1kV;
生产厂商：
SK
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