ACS AMI：通过衬底集成和器件封装协同设计实现具有极低器件热阻的氧化镓MOSFETs

异质集成氧化镓：下一代高性能功率半导体器件的新基石

苏州迈姆思与杭州镓仁签订先进半导体氧化镓晶圆键合领域战略合作协议

北京铭镓半导体引领氧化镓材料创新，实现产业化新突破

三菱电机斥资9000亿加速研发氧化镓

我国实现6英寸氧化镓衬底产业化新突破

晶旭半导体获睿悦控股集团亿元战略投资

6英寸β型氧化镓单晶成功制备

武汉大学袁超课题组在超宽禁带氧化镓热输运领域最新研究进展

基于晶圆级高导热异质集成衬底实现最高截止频率氧化镓射频器件

氧化镓产业化更进一步，本土初创企业成果涌现

北京镓和首次发布4英寸面氧化镓单晶衬底参数并实现小批量生产

日本研发出氧化镓的低成本制法

深紫外透明导电Si掺杂氧化镓异质外延薄膜研究

功率半导体器件 氧化镓市场正在稳步扩大

三菱电机入局氧化镓，加速氧化镓功率器件走向商用

面向氧化镓功率器件的大尺寸氧化镓单晶材料技术介绍

IDM龙头降价！晶圆代工大厂最新解读

三菱电机加速开发高性能低损耗氧化镓功率半导体

外交部回应公布对镓锗出口管制