第四代半导体“氧化镓（Ga2O3）”材料的详解

电流密度1 kA/cm²，二极管耐压比SiC大3倍！氧化镓器件商业化！

氧化镓破局！江苏拓能半导体科技有限公司工业电机驱动系统著作权落地，解锁高效节能新范式

氧化镓器件的研究现状和应用前景

我国首发8英寸氧化镓单晶，半导体产业迎新突破！

氧化镓衬底表面粗糙度和三维形貌，优可测白光干涉仪检测时长缩短至秒级！

中国第四代半导体技术获重大突破:金刚石与氧化镓实现强强联合

第四代半导体新进展：4英寸氧化镓单晶导电型掺杂

镓仁半导体成功实现VB法4英寸氧化镓单晶导电掺杂

关于超宽禁带氧化镓晶相异质结的新研究

半导体所在基于氧化镓的日盲紫外偏振光探测器方面取得新进展

ACS AMI：通过衬底集成和器件封装协同设计实现具有极低器件热阻的氧化镓MOSFETs

异质集成氧化镓：下一代高性能功率半导体器件的新基石

苏州迈姆思与杭州镓仁签订先进半导体氧化镓晶圆键合领域战略合作协议

北京铭镓半导体引领氧化镓材料创新，实现产业化新突破

三菱电机斥资9000亿加速研发氧化镓

我国实现6英寸氧化镓衬底产业化新突破

晶旭半导体获睿悦控股集团亿元战略投资

6英寸β型氧化镓单晶成功制备

武汉大学袁超课题组在超宽禁带氧化镓热输运领域最新研究进展