ROHM开发出低VF且低IR的保护用肖特基势垒二极管“RBE01VYM6AFH”

BM6GD11BFJ-LB罗姆首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产

罗姆半导体宣布2025财年换帅

日本罗姆半导体加强与台积电氮化镓合作,代工趋势显现

罗姆与联合汽车电子签署SiC功率元器件长期供货协议

罗姆半导体推动SiC MOSFET技术进步，与吉利汽车展开深度合作

ROHM开发出世界超小CMOS运算放大器

罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH将扩大150mm SiC晶圆长期供应合同

ROHM开始开发一种新的机器人移动技术“NoMaDbot”

为什么逆变器这个应用领域对IGBT IPM的需求很大？

罗姆GaN器件被台达电子采用

ROHM开发出新结构热敏打印头KR2002-Q06N5AA

ROHM罗姆半导体ML22120车规级语音合成LSI

罗姆开发出LiDAR用的120W高输出功率激光二极管“RLD90QZW8”

罗姆新增SiC和IGBT模型，可提供超3,500种LTspice®模型

罗姆BD14210G-LA电流检测放大器

AMEYA360：罗姆确立超高速驱动控制IC技术

ROHM具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT

罗姆在打印机用激光二极管市场的优劣势分析

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