长江存储即将试产第一批 192 层 3D NAND 闪存芯片

长江存储发布声明：公司建设情况以公司官方信息为准

回顾长江存储3D NAND技术的发展进程

【芯闻精选】长江存储或在2021年中旬试产首批192层闪存；国芯科技或闯关科创板…

长江存储最快在2021年中旬试产首批192层闪存，国产闪存产能年底可占全球7%

国产闪存产能将在年底占全球的7%

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