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上海韦尔半导体股份有限公司（SH：603501）是全球排名前列的中国半导体设计公司。集团研发中心与业务网络遍布全球，年出货量超过135亿颗。
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器件名：
WD1035DH-8/TR
产品描述：
高效5V, 3A连续，1.5MHz同步降压调节器
生产厂商：
WILLSEMI
规格书
替代料
价格
器件名：
ESD5Z5VU-2/TR
产品描述：
TVS VRWM=5V VBR(Min)=7V VC=18V IPP=4A Ppp=60W SOD523
生产厂商：
WILLSEMI
规格书
替代料
价格
器件名：
WNM2046C-3/TR
产品描述：
N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 功率(Pd)：270mW
生产厂商：
WILLSEMI
规格书
替代料
价格
器件名：
ESD9N5BM-2/TR
产品描述：
ESD抑制器/TVS二极管 VRWM=5V VBR(Min)=7V
生产厂商：
WILLSEMI
规格书
替代料
价格
器件名：
ESD56201D12-2/TR
产品描述：
VRWM=12V VBR(Min)=16V VC=19.5V IPP=22A Ppp=1600W DFN1610-2L
生产厂商：
WILLSEMI
规格书
替代料
价格
器件名：
ESD5641D07-3/TR
产品描述：
TVS二极管 VRWM=7.5V VBR(Min)=8V VC=18V IPP=190A
生产厂商：
WILLSEMI
规格书
替代料
价格
器件名：
ESD5641D15-3/TR
产品描述：
TVS二极管 VRWM=15V VBR(Min)=16V
生产厂商：
WILLSEMI
规格书
替代料
价格
器件名：
ESDA6V8AV5-5/TR
产品描述：
ESD抑制器/TVS二极管 VRWM=5V VBR(Min)=6.2V VC=12V IPP=3A Ppk=36W SOT553
生产厂商：
WILLSEMI
规格书
替代料
价格
器件名：
ESD5681N07-2/TR
产品描述：
TVS VRWM=7V VBR(Min)=8V VC=16V IPP=27A Ppp=450W DFN1006-2L
生产厂商：
WILLSEMI
规格书
替代料
价格
器件名：
WSB5508L-2/TR
产品描述：
中功率肖特基势垒二极管 40V 570mV@1A 1A SOD-123
生产厂商：
WILLSEMI
规格书
替代料
价格
器件名：
WSB5511M-2/TR
产品描述：
肖特基屏障二极管 500uA@40V 40V Single 500mV@3A 3A SMA
生产厂商：
WILLSEMI
规格书
替代料
价格
器件名：
WSB5503W-2/TR
产品描述：
中功率肖特基势垒二极管 40V 570mV@1A 1A SOD-323
生产厂商：
WILLSEMI
规格书
替代料
价格
器件名：
WSB5546N-2/TR
产品描述：
肖特基二极管 40V 200mA 600mV@200mA DFN1006-2L
生产厂商：
WILLSEMI
规格书
替代料
价格
器件名：
WNM2077-3/TR
产品描述：
功率MOSFET 20V 510mA 310mW 600mΩ@4.5V,350mA 1V@250uA N Channel SOT-723
生产厂商：
WILLSEMI
规格书
替代料
价格
器件名：
WSB5507W-2/TR
产品描述：
中功率肖特基势垒二极管
生产厂商：
WILLSEMI
规格书
替代料
价格
器件名：
WS4622C-4/TR
产品描述：
2A, 38 mΩ， 250nA静止电流和90nA备用电流负载开关
生产厂商：
WILLSEMI
规格书
替代料
价格
器件名：
WSB5558N-2/TR
产品描述：
肖特基势垒二极管 30uA@30V 30V Single 450mV@100mA 100mA DFN1006-2L
生产厂商：
WILLSEMI
规格书
替代料
价格
器件名：
WNM4006-3/TR
产品描述：
单N沟道，45V，1.7A，功率MOSFET
生产厂商：
WILLSEMI
规格书
替代料
价格
器件名：
MM3Z5V1-2/TR
产品描述：
500mW，SOD-323齐纳二极管
生产厂商：
WILLSEMI
规格书
替代料
价格
器件名：
ESD56131W-2/TR
产品描述：
TVS二极管 VRWM=4.6V VBR(Min)=4.8V VC=14V IPP=100A Ppk=1400W SOD323F
生产厂商：
WILLSEMI
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替代料
价格
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