传中芯国际国产芯片工艺已追上Intel

紫光国芯推出首个基于12nm工艺的GDDR6存储控制器

紫光国芯发布GDDR6控制器芯片：12nm工艺 速率可达16Gbps

凭借12nm工艺，国产芯片终杀进GDDR6存储控制器市场

最新财报，中芯国际公布12nm最新进展！

中芯国际在12nm工艺上获得新突破

格芯成为 7nm LP 工艺开发的逃兵，专注于14/12nm FinFET 节点

联发科Helio P60首款12nm工艺制程 对标高通骁龙660

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