三星再次减产，刺激DDR4价格上涨

存储市场迎来拐点 DRAM和NAND闪存芯片价格上调10%-20%

三星内存芯片最高涨20%

三星计划提高DRAM和NAND芯片价格

市场开始复苏，三星传调涨内存芯片高达20%

DRAM的变数

集微咨询：汽车芯片增速正被高估，库存问题恐导致供过于求！

力积电黄崇仁：面对大陆厂商价格竞争将主动降低DDIC业务占比

NAND价格反弹？群联：有客户接受30%至35%涨幅

三星开发新一代“缓存DRAM”：能效提升60%，速度延迟降低50%

2Q23 NAND Flash/DRAM市场营收排名出炉

未来HBM产量将大幅增加

三星计划采用12纳米技术，提升内存模组容量

韩国半导体设备商积极开发新一代HBM加工工具

三星发布容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品

SK海力士开发“最佳性能”HBM3E

美光宣布李新明出任美光中国政府事务负责人

先进的清洗技术如何助力先进节点实现最佳晶圆良率

实现生成式AI的关键半导体技术

SK海力士成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E