DRAM与NAND闪存价格大幅下跌

北京君正首颗 21nm DRAM下半年推出，三大存储类芯片持续研发，待行业市场复苏

长鑫迅速扩产 引发韩国业界及媒体关注

继HBM上车之后，移动HBM有望用在手机上

SK海力士开发出第六代10纳米级DDR5 DRAM

今日看点丨小米“无按键”旗舰手机被曝 2025 年亮相；SK海力士成功开发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM

英飞凌将支付8亿赔款！

应用材料财报亮眼，营收反超ASML成半导体设备龙头

DRAM大厂第三季DDR5价格大幅上调

DRAM大厂第三季对DDR5再度调涨,价格将上涨15%以上

SK海力士M16晶圆厂扩产，DRAM产能将增18%

3D DRAM内嵌AI芯片，AI计算性能暴增

SK海力士转向4F2 DRAM以降低成本

三星确认平泽P4工厂1c nm DRAM内存产线投资

三星电子实现低功耗LPDDR5X DRAM的量产

2024年DRAM收入将达到980亿美元，同比增长88%

SK海力士致力于研发超400层的NAND闪存芯片

DRAM与NAND市场迎高增长，2024年收入飙升

SK海力士在HBM领域中MR-MUF技术的发展

TrendForce预测2025年DRAM与NAND闪存产业营收将创历史新高