美光科技拟上调产品报价，涨幅预计突破20%

美光、SK海力士、三星拟上调存储芯片价格，数据中心需求强劲成为主因

SK海力士、三星电子年内启动1c纳米DRAM内存量产

SK海力士与三星将率先量产1c纳米DRAM

希捷发布新款PCIe Gen4x4固态硬盘酷鱼530

台湾地区DRAM内存产能受地震影响停止报价

三星电子：2025年步入3D DRAM时代

兆易创新: 拟15亿元对长鑫科技增资，深化DRAM业务合作

三星半导体再度冲击行业第一宝座？

创见MTE310S PCIe 4.0固态硬盘，支持SLC缓存与LDPC纠错

三星2025年后将首家进入3D DRAM内存时代

三星电子力推AI存储芯片和算力芯片竞争力提升

AI驱动半导体市场多元化，DRAM需求呈现上升趋势

长鑫科技融资108亿元！增资助推DRAM业务腾飞，估值达1400亿元

美光科技西安新厂房开工，拓展封装测试能力

高盛谈HBM四年十倍市场 人工智能驱动HBM市场腾飞

三星重磅发布全新12层36GB HBM3e DRAM

DRAM市场面临双重压力：库存调整与需求疲软影响价格走势

美光科技宣布西安封装和测试工厂扩建项目破土动工

AMD Zen2至Zen4架构处理器存在Rowhammer内存攻击风险，AMD发布公告